在下就來位各位解說吧,畢竟多學才博學阿!!~電子顯微鏡主要是利用高加速電壓之入射電子束打擊在試片後,產生相關二次訊號來分析各種特性,可參閱圖3-3,一般的二次訊號包括直射電子、散射電子、二次電子、背向散射電子、Auger電子及X射線等。電子顯微鏡的發展以穿透式電子顯微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)為最早,在1931年即已提出;掃描式電子顯微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)則在1935年提出。由於早期發展的SEM解析度未臻理想,影像處理及訊號處理技術無法突破,一直到1965年以後,SEM才正式普獲研究學者的青睞。此後SEM的發展相當快速,不但機台性能的大幅提高,且各項材料分析附件日益增多,應用的範圍也不斷地擴大,幾乎包含各個研究領域,目前應用在材料、機械、電機、電子材料、冶金、地質、礦物、生物醫學、化學、物理等方面最多。
圖3-3
掃描式電子顯微鏡由於景深(Depth of Focus)大,對於研究物體之表面結構功效特別顯著,例如材料之斷口、磨損面、塗層結構、夾雜物等之觀察研究。近年來由於技術的進步,SEM已將電子微探儀 (Electron Probe Micro-analyser;EPMA)結合在一起(兩者主要功能之比較表請見表3-4),在觀測表面結構時,能夠同時分析顯微區域之定性及定量成份分析,使得掃描式電子顯微鏡成為用途最廣的科學儀器之一。圖3-5為SEM-EMPA組合之系統式意圖。